Электронный каталог

Статья

Huang, X.R.
High-Geometrical-Resolution Imaging of Dislocations in SiC Using Monochromatic Synchrotron Topography / X.R.Huang, [et al.] // Applied Physics Letters. – 2007. – Vol.91, No.23. – p.231903. – URL: http://dx.doi.org/10.1063/1.2814032. – Bibliogr.:15.



Спец.(статьи,препринты) = С 332.8 - Синхротронное излучение. Лазеры на свободных электронах. Получение и использование рентгеновских лучей