Электронный каталог

Статья

Ямурзин, В.Р.
Монте-Карло моделирование дефектообразования в кристаллической структуре полупроводника InAs на сапфировой подложке под действием нейтронного потока / В.Р.Ямурзин, М.В.Булавин // Ядерная физика и инжиниринг. – 2026. – Т. 17, № 2. – С. 175-182. – URL: https://doi.org/10.56304/S2079562926020041. – Библиогр.: 16.

Статья посвящена Монте−Карло моделированию влиянию нейтронного потока на кристаллическую структуру полупроводника InAs на сапфировой подложке в программной среде Geant4 и SRIM. Рассмотрен список генерируемых вторичных частиц, их длины пробега и количество образовавшихся вакансий на ион. На основе численного моделирования сделаны выводы о расположении полупроводниковой пленки в процессе облучения и влияние на ее механические и электрофизические свойства



Спец.(статьи,препринты) = С 349.1 - Действие излучения на материалы$
ОИЯИ = ОИЯИ (JINR)2026