Поиск :
Личный кабинет :
Электронный каталог: Лихачев, К.В. - Локальная диагностика спиновых дефектов в облученных SiC-диодах Шоттки
Лихачев, К.В. - Локальная диагностика спиновых дефектов в облученных SiC-диодах Шоттки
Статья
Автор: Лихачев, К.В.
Журнал экспериментальной и теоретической физики. Письма: Локальная диагностика спиновых дефектов в облученных SiC-диодах Шоттки
б.г.
ISBN отсутствует
Автор: Лихачев, К.В.
Журнал экспериментальной и теоретической физики. Письма: Локальная диагностика спиновых дефектов в облученных SiC-диодах Шоттки
б.г.
ISBN отсутствует
Статья
Лихачев, К.В.
Локальная диагностика спиновых дефектов в облученных SiC-диодах Шоттки / К.В.Лихачев, [и др.] // Журнал экспериментальной и теоретической физики. Письма. – 2024. – Т. 120, № 5/6. – С. 367-373. – URL: http://www.jetpletters.ru/ps/2480/article_36393.pdf. – Библиогр.: 28.
Спец.(статьи,препринты) = С 349.1 - Действие излучения на материалы$
Лихачев, К.В.
Локальная диагностика спиновых дефектов в облученных SiC-диодах Шоттки / К.В.Лихачев, [и др.] // Журнал экспериментальной и теоретической физики. Письма. – 2024. – Т. 120, № 5/6. – С. 367-373. – URL: http://www.jetpletters.ru/ps/2480/article_36393.pdf. – Библиогр.: 28.
Спец.(статьи,препринты) = С 349.1 - Действие излучения на материалы$