Поиск :
Личный кабинет :
Электронный каталог: Езубченко, И.С. - Высококачественные слои AlN на подложках кремния Si(111), выращенные методом газофазной эпитаксии...
Езубченко, И.С. - Высококачественные слои AlN на подложках кремния Si(111), выращенные методом газофазной эпитаксии...
Статья
Автор: Езубченко, И.С.
Кристаллография: Высококачественные слои AlN на подложках кремния Si(111), выращенные методом газофазной эпитаксии...
б.г.
ISBN отсутствует
Автор: Езубченко, И.С.
Кристаллография: Высококачественные слои AlN на подложках кремния Si(111), выращенные методом газофазной эпитаксии...
б.г.
ISBN отсутствует
На полку
Статья
Езубченко, И.С.
Высококачественные слои AlN на подложках кремния Si(111), выращенные методом газофазной эпитаксии из металлоорганических соединений / И.С.Езубченко, [и др.] // Кристаллография. – 2020. – Т.65, №1. – с.119-123. – URL: http://dx.doi.org/10.1134/S1063774520010071. – Библиогр.:14.
Спец.(статьи,препринты) = С 344.4б - Методы приготовления тонких пленок$
Езубченко, И.С.
Высококачественные слои AlN на подложках кремния Si(111), выращенные методом газофазной эпитаксии из металлоорганических соединений / И.С.Езубченко, [и др.] // Кристаллография. – 2020. – Т.65, №1. – с.119-123. – URL: http://dx.doi.org/10.1134/S1063774520010071. – Библиогр.:14.
Спец.(статьи,препринты) = С 344.4б - Методы приготовления тонких пленок$
