Поиск :
Личный кабинет :
Электронный каталог: Zheng, Q. - Read Static Noise Margin Decrease of 65-nm 6-T SRAM Cell Induced by Total Ionizing Dose
Zheng, Q. - Read Static Noise Margin Decrease of 65-nm 6-T SRAM Cell Induced by Total Ionizing Dose
Статья
Автор: Zheng, Q.
IEEE Transactions on Nuclear Science: Read Static Noise Margin Decrease of 65-nm 6-T SRAM Cell Induced by Total Ionizing Dose
б.г.
ISBN отсутствует
Автор: Zheng, Q.
IEEE Transactions on Nuclear Science: Read Static Noise Margin Decrease of 65-nm 6-T SRAM Cell Induced by Total Ionizing Dose
б.г.
ISBN отсутствует
На полку
Статья
Zheng, Q.
Read Static Noise Margin Decrease of 65-nm 6-T SRAM Cell Induced by Total Ionizing Dose / Q.Zheng, [et al.] // IEEE Transactions on Nuclear Science. – 2018. – Vol.65, No.2. – p.691-697. – URL: http://dx.doi.org/10.1109/TNS.2017.2786227. – Bibliogr.:24.
Спец.(статьи,препринты) = С 349.1 - Действие излучения на материалы$
Zheng, Q.
Read Static Noise Margin Decrease of 65-nm 6-T SRAM Cell Induced by Total Ionizing Dose / Q.Zheng, [et al.] // IEEE Transactions on Nuclear Science. – 2018. – Vol.65, No.2. – p.691-697. – URL: http://dx.doi.org/10.1109/TNS.2017.2786227. – Bibliogr.:24.
Спец.(статьи,препринты) = С 349.1 - Действие излучения на материалы$
Привязано к:
Доступно
1 из 1