Электронный каталог

Статья

Zerarka, M.
TCAD Simulation of the Single Event Effects in Normally-OFF GaN Transistors After Heavy Ion Radiation / M.Zerarka, [et al.] // IEEE Transactions on Nuclear Science. – 2017. – Vol.64, No.8, Pt.1. – p.2242-2249. – URL: https://doi.org/10.1109/TNS.2017.2710629. – Bibliogr.:34.



Спец.(статьи,препринты) = С 349.1 - Действие излучения на материалы$