Поиск :
Личный кабинет :
Электронный каталог: Zheng, Q. - Total Ionizing Dose Influence on the Single-Event Upset Sensitivity of 130-nm PD SOI SRAMs
Zheng, Q. - Total Ionizing Dose Influence on the Single-Event Upset Sensitivity of 130-nm PD SOI SRAMs
Статья
Автор: Zheng, Q.
IEEE Transactions on Nuclear Science: Total Ionizing Dose Influence on the Single-Event Upset Sensitivity of 130-nm PD SOI SRAMs
б.г.
ISBN отсутствует
Автор: Zheng, Q.
IEEE Transactions on Nuclear Science: Total Ionizing Dose Influence on the Single-Event Upset Sensitivity of 130-nm PD SOI SRAMs
б.г.
ISBN отсутствует
На полку
Статья
Zheng, Q.
Total Ionizing Dose Influence on the Single-Event Upset Sensitivity of 130-nm PD SOI SRAMs / Q.Zheng, [et al.] // IEEE Transactions on Nuclear Science. – 2017. – Vol.64, No.7, Pt.2. – p.1897-1904. – URL: https://doi.org/10.1109/TNS.2017.2706287. – Bibliogr.:29.
Спец.(статьи,препринты) = С 349 а - Дозиметрия различных видов излучения. Абсолютные измерения потоков
Спец.(статьи,препринты) = С 349.1 - Действие излучения на материалы$
Zheng, Q.
Total Ionizing Dose Influence on the Single-Event Upset Sensitivity of 130-nm PD SOI SRAMs / Q.Zheng, [et al.] // IEEE Transactions on Nuclear Science. – 2017. – Vol.64, No.7, Pt.2. – p.1897-1904. – URL: https://doi.org/10.1109/TNS.2017.2706287. – Bibliogr.:29.
Спец.(статьи,препринты) = С 349 а - Дозиметрия различных видов излучения. Абсолютные измерения потоков
Спец.(статьи,препринты) = С 349.1 - Действие излучения на материалы$
Привязано к:
Доступно
1 из 1
Выпуск
IEEE Transactions on Nuclear Science Vol.64, No.7, Pt.2
2017 г.
ISBN отсутствует
Библиотека : ЦБ.ЧЗ
IEEE Transactions on Nuclear Science Vol.64, No.7, Pt.2
2017 г.
ISBN отсутствует
Библиотека : ЦБ.ЧЗ