Поиск :
Личный кабинет :
Электронный каталог: Kim, T. H. - Total Ionizing Dose Effects on a 12-Bit 40kS/s SAR ADC Designed with a Dummy Gate-Assisted n-MOSFET
Kim, T. H. - Total Ionizing Dose Effects on a 12-Bit 40kS/s SAR ADC Designed with a Dummy Gate-Assisted n-MOSFET
Статья
Автор: Kim, T. H.
IEEE Transactions on Nuclear Science: Total Ionizing Dose Effects on a 12-Bit 40kS/s SAR ADC Designed with a Dummy Gate-Assisted n-MOSFET
б.г.
ISBN отсутствует
Автор: Kim, T. H.
IEEE Transactions on Nuclear Science: Total Ionizing Dose Effects on a 12-Bit 40kS/s SAR ADC Designed with a Dummy Gate-Assisted n-MOSFET
б.г.
ISBN отсутствует
Статья
Kim, T.H.
Total Ionizing Dose Effects on a 12-Bit 40kS/s SAR ADC Designed with a Dummy Gate-Assisted n-MOSFET / T.H.Kim, H.C.Lee // IEEE Transactions on Nuclear Science. – 2017. – Vol.64, No.1, Pt.2. – p.648-653. – URL: https://doi.org/10.1109/TNS.2016.2631723. – Bibliogr.:23.
Спец.(статьи,препринты) = С 344.3г - Схемы амплитудного анализа. Многоканальные амплитудные анализаторы, аналого-цифровые преобразователи. Дискриминаторы формы импульсов, схемы затяжки
Kim, T.H.
Total Ionizing Dose Effects on a 12-Bit 40kS/s SAR ADC Designed with a Dummy Gate-Assisted n-MOSFET / T.H.Kim, H.C.Lee // IEEE Transactions on Nuclear Science. – 2017. – Vol.64, No.1, Pt.2. – p.648-653. – URL: https://doi.org/10.1109/TNS.2016.2631723. – Bibliogr.:23.
Спец.(статьи,препринты) = С 344.3г - Схемы амплитудного анализа. Многоканальные амплитудные анализаторы, аналого-цифровые преобразователи. Дискриминаторы формы импульсов, схемы затяжки