Поиск :
Личный кабинет :
Электронный каталог: Oikawa, T. - Formation of Definite GaN p–n Junction by Mg-Ion Implantation to n*--GaN Epitaxial Layers Grown o...
Oikawa, T. - Formation of Definite GaN p–n Junction by Mg-Ion Implantation to n*--GaN Epitaxial Layers Grown o...
Статья
Автор: Oikawa, T.
Nuclear Instruments & Methods in Physics Research B: Formation of Definite GaN p–n Junction by Mg-Ion Implantation to n*--GaN Epitaxial Layers Grown o...
б.г.
ISBN отсутствует
Автор: Oikawa, T.
Nuclear Instruments & Methods in Physics Research B: Formation of Definite GaN p–n Junction by Mg-Ion Implantation to n*--GaN Epitaxial Layers Grown o...
б.г.
ISBN отсутствует
На полку
Статья
Oikawa, T.
Formation of Definite GaN p–n Junction by Mg-Ion Implantation to n*--GaN Epitaxial Layers Grown on a High-Quality Free-Standing GaN Substrate / T.Oikawa, [et al.] // Nuclear Instruments & Methods in Physics Research B. – 2015. – Vol.365, Pt.A. – p.168-170. – URL: http://dx.doi.org/10.1016/j.nimb.2015.07.095. – Bibliogr.:11.
Спец.(статьи,препринты) = С 349.1 - Действие излучения на материалы$
Oikawa, T.
Formation of Definite GaN p–n Junction by Mg-Ion Implantation to n*--GaN Epitaxial Layers Grown on a High-Quality Free-Standing GaN Substrate / T.Oikawa, [et al.] // Nuclear Instruments & Methods in Physics Research B. – 2015. – Vol.365, Pt.A. – p.168-170. – URL: http://dx.doi.org/10.1016/j.nimb.2015.07.095. – Bibliogr.:11.
Спец.(статьи,препринты) = С 349.1 - Действие излучения на материалы$
Привязано к:
Доступно
1 из 1
Выпуск
Nuclear Instruments & Methods in Physics Research B Vol.365, Pt.A
2015 г.
ISBN отсутствует
Библиотека : ЦБ.ЧЗ
Nuclear Instruments & Methods in Physics Research B Vol.365, Pt.A
2015 г.
ISBN отсутствует
Библиотека : ЦБ.ЧЗ