Поиск :
Личный кабинет :
Электронный каталог: Veerapandian, S. K. P. - Comparison of Silicon and 4H Silicon Carbide Patterning Using Focused Ion Beams
Veerapandian, S. K. P. - Comparison of Silicon and 4H Silicon Carbide Patterning Using Focused Ion Beams
Статья
Автор: Veerapandian, S. K. P.
Nuclear Instruments & Methods in Physics Research B: Comparison of Silicon and 4H Silicon Carbide Patterning Using Focused Ion Beams
б.г.
ISBN отсутствует
Автор: Veerapandian, S. K. P.
Nuclear Instruments & Methods in Physics Research B: Comparison of Silicon and 4H Silicon Carbide Patterning Using Focused Ion Beams
б.г.
ISBN отсутствует
На полку
Статья
Veerapandian, S.K.P.
Comparison of Silicon and 4H Silicon Carbide Patterning Using Focused Ion Beams / S.K.P.Veerapandian, [et al.] // Nuclear Instruments & Methods in Physics Research B. – 2015. – Vol.365, Pt.A. – p.44-49. – URL: http://dx.doi.org/10.1016/j.nimb.2015.07.079. – Bibliogr.:16.
Спец.(статьи,препринты) = С 349.1 - Действие излучения на материалы$
Veerapandian, S.K.P.
Comparison of Silicon and 4H Silicon Carbide Patterning Using Focused Ion Beams / S.K.P.Veerapandian, [et al.] // Nuclear Instruments & Methods in Physics Research B. – 2015. – Vol.365, Pt.A. – p.44-49. – URL: http://dx.doi.org/10.1016/j.nimb.2015.07.079. – Bibliogr.:16.
Спец.(статьи,препринты) = С 349.1 - Действие излучения на материалы$
Привязано к:
Доступно
1 из 1
Выпуск
Nuclear Instruments & Methods in Physics Research B Vol.365, Pt.A
2015 г.
ISBN отсутствует
Библиотека : ЦБ.ЧЗ
Nuclear Instruments & Methods in Physics Research B Vol.365, Pt.A
2015 г.
ISBN отсутствует
Библиотека : ЦБ.ЧЗ