Поиск :
Личный кабинет :
Электронный каталог: Abdrashitov, S. V. - Total Yield of Channeling Radiation from Relativistic Electrons in Thin Si and W Crystals
Abdrashitov, S. V. - Total Yield of Channeling Radiation from Relativistic Electrons in Thin Si and W Crystals
Статья
Автор: Abdrashitov, S. V.
Nuclear Instruments & Methods in Physics Research B: Total Yield of Channeling Radiation from Relativistic Electrons in Thin Si and W Crystals
б.г.
ISBN отсутствует
Автор: Abdrashitov, S. V.
Nuclear Instruments & Methods in Physics Research B: Total Yield of Channeling Radiation from Relativistic Electrons in Thin Si and W Crystals
б.г.
ISBN отсутствует
Статья
Abdrashitov, S.V.
Total Yield of Channeling Radiation from Relativistic Electrons in Thin Si and W Crystals / S.V.Abdrashitov, [et al.] // Nuclear Instruments & Methods in Physics Research B : Beam Interactins with Materials and Atoms. – 2013. – Vol.309. – p.59-62. – URL: http://dx.doi.org/10.1016/j.nimb.2013.02.020. – Bibliogr.:15.
Спец.(статьи,препринты) = С 342 б2 - Прохождение заряженных частиц через кристаллы: каналирование, стринг-эффект, эффект "теней". Сверхтонкое взаимодействие для ядерных систем
Abdrashitov, S.V.
Total Yield of Channeling Radiation from Relativistic Electrons in Thin Si and W Crystals / S.V.Abdrashitov, [et al.] // Nuclear Instruments & Methods in Physics Research B : Beam Interactins with Materials and Atoms. – 2013. – Vol.309. – p.59-62. – URL: http://dx.doi.org/10.1016/j.nimb.2013.02.020. – Bibliogr.:15.
Спец.(статьи,препринты) = С 342 б2 - Прохождение заряженных частиц через кристаллы: каналирование, стринг-эффект, эффект "теней". Сверхтонкое взаимодействие для ядерных систем