Поиск :
Личный кабинет :
Электронный каталог: Backe, H. - Radiation Emission at Channeling of Electrons in a Strained Layer Si&sub(1-x)Ge&sub(x) Undulator ...
Backe, H. - Radiation Emission at Channeling of Electrons in a Strained Layer Si&sub(1-x)Ge&sub(x) Undulator ...
Статья
Автор: Backe, H.
Nuclear Instruments & Methods in Physics Research B: Radiation Emission at Channeling of Electrons in a Strained Layer Si&sub(1-x)Ge&sub(x) Undulator ...
б.г.
ISBN отсутствует
Автор: Backe, H.
Nuclear Instruments & Methods in Physics Research B: Radiation Emission at Channeling of Electrons in a Strained Layer Si&sub(1-x)Ge&sub(x) Undulator ...
б.г.
ISBN отсутствует
Статья
Backe, H.
Radiation Emission at Channeling of Electrons in a Strained Layer Si&sub(1-x)Ge&sub(x) Undulator Crystal / H.Backe, [et al.] // Nuclear Instruments & Methods in Physics Research B : Beam Interactins with Materials and Atoms. – 2013. – Vol.309. – p.37-44. – URL: http://dx.doi.org/10.1016/j.nimb.2013.03.047. – Bibliogr.:33.
Спец.(статьи,препринты) = С 342 б2 - Прохождение заряженных частиц через кристаллы: каналирование, стринг-эффект, эффект "теней". Сверхтонкое взаимодействие для ядерных систем
Backe, H.
Radiation Emission at Channeling of Electrons in a Strained Layer Si&sub(1-x)Ge&sub(x) Undulator Crystal / H.Backe, [et al.] // Nuclear Instruments & Methods in Physics Research B : Beam Interactins with Materials and Atoms. – 2013. – Vol.309. – p.37-44. – URL: http://dx.doi.org/10.1016/j.nimb.2013.03.047. – Bibliogr.:33.
Спец.(статьи,препринты) = С 342 б2 - Прохождение заряженных частиц через кристаллы: каналирование, стринг-эффект, эффект "теней". Сверхтонкое взаимодействие для ядерных систем