Поиск :
Личный кабинет :
Электронный каталог: Wang, K. - Charge Relaxation in a Single-Electron Si/SiGe Double Quantum Dot
Wang, K. - Charge Relaxation in a Single-Electron Si/SiGe Double Quantum Dot
![](/opacUnicode/app/webroot/img/doctypes/6.gif)
Статья
Автор: Wang, K.
Physical Review Letters: Charge Relaxation in a Single-Electron Si/SiGe Double Quantum Dot
б.г.
ISBN отсутствует
Автор: Wang, K.
Physical Review Letters: Charge Relaxation in a Single-Electron Si/SiGe Double Quantum Dot
б.г.
ISBN отсутствует
Статья
Wang, K.
Charge Relaxation in a Single-Electron Si/SiGe Double Quantum Dot / K.Wang, [et al.] // Physical Review Letters. – 2013. – Vol.111, No.4. – p.046801. – URL: http://dx.doi.org/10.1103/PhysRevLett.111.046801. – Bibliogr.:33.
Спец.(статьи,препринты) = С 33 а - Нанофизика. Нанотехнология$
Wang, K.
Charge Relaxation in a Single-Electron Si/SiGe Double Quantum Dot / K.Wang, [et al.] // Physical Review Letters. – 2013. – Vol.111, No.4. – p.046801. – URL: http://dx.doi.org/10.1103/PhysRevLett.111.046801. – Bibliogr.:33.
Спец.(статьи,препринты) = С 33 а - Нанофизика. Нанотехнология$