Поиск :
Личный кабинет :
Электронный каталог: Shu, H. - Band-Offset Effect on Localization of Carriers and p-Type Doping of InAs/GaAs Core-Shell Nanowires
Shu, H. - Band-Offset Effect on Localization of Carriers and p-Type Doping of InAs/GaAs Core-Shell Nanowires
Статья
Автор: Shu, H.
Physics Letters A: Band-Offset Effect on Localization of Carriers and p-Type Doping of InAs/GaAs Core-Shell Nanowires
б.г.
ISBN отсутствует
Автор: Shu, H.
Physics Letters A: Band-Offset Effect on Localization of Carriers and p-Type Doping of InAs/GaAs Core-Shell Nanowires
б.г.
ISBN отсутствует
Статья
Shu, H.
Band-Offset Effect on Localization of Carriers and p-Type Doping of InAs/GaAs Core-Shell Nanowires / H.Shu, [et al.] // Physics Letters A. – 2013. – Vol.377, No.21/22. – p.1464-68. – URL: http://dx.doi.org/10.1016/j.physleta.2013.04.028. – Bibliogr.:37.
Спец.(статьи,препринты) = С 325.8 - Квантовые объекты низкой размерности (за исключением эффектов Холла)$
Shu, H.
Band-Offset Effect on Localization of Carriers and p-Type Doping of InAs/GaAs Core-Shell Nanowires / H.Shu, [et al.] // Physics Letters A. – 2013. – Vol.377, No.21/22. – p.1464-68. – URL: http://dx.doi.org/10.1016/j.physleta.2013.04.028. – Bibliogr.:37.
Спец.(статьи,препринты) = С 325.8 - Квантовые объекты низкой размерности (за исключением эффектов Холла)$