Поиск :
Личный кабинет :
Электронный каталог: Cowern, N. E. B. - Extended Point Defects in Crystalline Materials: Ge and Si
Cowern, N. E. B. - Extended Point Defects in Crystalline Materials: Ge and Si
Статья
Автор: Cowern, N. E. B.
Physical Review Letters: Extended Point Defects in Crystalline Materials: Ge and Si
б.г.
ISBN отсутствует
Автор: Cowern, N. E. B.
Physical Review Letters: Extended Point Defects in Crystalline Materials: Ge and Si
б.г.
ISBN отсутствует
На полку
Статья
Cowern, N.E.B.
Extended Point Defects in Crystalline Materials: Ge and Si / N.E.B.Cowern, [a.o.] // Physical Review Letters. – 2013. – Vol.110, No.15. – p.155501. – URL: http://dx.doi.org/10.1103/PhysRevLett.110.155501. – Bibliogr.:30.
Спец.(статьи,препринты) = С 33 а - Нанофизика. Нанотехнология$
Cowern, N.E.B.
Extended Point Defects in Crystalline Materials: Ge and Si / N.E.B.Cowern, [a.o.] // Physical Review Letters. – 2013. – Vol.110, No.15. – p.155501. – URL: http://dx.doi.org/10.1103/PhysRevLett.110.155501. – Bibliogr.:30.
Спец.(статьи,препринты) = С 33 а - Нанофизика. Нанотехнология$
Привязано к:
Доступно
1 из 1
Выпуск
Physical Review Letters Vol.110, No.15
The American Physical Society, 12/04/2013 г.
ISBN отсутствует
Библиотека : ЦБ.ЧЗ
Physical Review Letters Vol.110, No.15
The American Physical Society, 12/04/2013 г.
ISBN отсутствует
Библиотека : ЦБ.ЧЗ