Поиск :
Личный кабинет :
Электронный каталог: Zhang, G. - Shallow Impurity Level Calculations in Semiconductors Using Ab Initio Methods
Zhang, G. - Shallow Impurity Level Calculations in Semiconductors Using Ab Initio Methods
Статья
Автор: Zhang, G.
Physical Review Letters: Shallow Impurity Level Calculations in Semiconductors Using Ab Initio Methods
б.г.
ISBN отсутствует
Автор: Zhang, G.
Physical Review Letters: Shallow Impurity Level Calculations in Semiconductors Using Ab Initio Methods
б.г.
ISBN отсутствует
На полку
Статья
Zhang, G.
Shallow Impurity Level Calculations in Semiconductors Using Ab Initio Methods / G.Zhang, [a.o.] // Physical Review Letters. – 2013. – Vol.110, No.16. – p.166404. – URL: http://dx.doi.org/10.1103/PhysRevLett.110.166404. – Bibliogr.:48.
Спец.(статьи,препринты) = С 332 - Электромагнитные взаимодействия
Спец.(статьи,препринты) = С 36 - Физика твердого тела$
Zhang, G.
Shallow Impurity Level Calculations in Semiconductors Using Ab Initio Methods / G.Zhang, [a.o.] // Physical Review Letters. – 2013. – Vol.110, No.16. – p.166404. – URL: http://dx.doi.org/10.1103/PhysRevLett.110.166404. – Bibliogr.:48.
Спец.(статьи,препринты) = С 332 - Электромагнитные взаимодействия
Спец.(статьи,препринты) = С 36 - Физика твердого тела$
Привязано к:
Доступно
1 из 1
Выпуск
Physical Review Letters Vol.110, No.16
The American Physical Society, 19/04/2013 г.
ISBN отсутствует
Библиотека : ЦБ.ЧЗ
Physical Review Letters Vol.110, No.16
The American Physical Society, 19/04/2013 г.
ISBN отсутствует
Библиотека : ЦБ.ЧЗ