Поиск :
Личный кабинет :
Электронный каталог: Hofmann, T. - Growth of Highly Oriented Deuterium Crystals in Silicon Nanochannels
Hofmann, T. - Growth of Highly Oriented Deuterium Crystals in Silicon Nanochannels
![](/opacUnicode/app/webroot/img/doctypes/6.gif)
Статья
Автор: Hofmann, T.
Physical Review Letters: Growth of Highly Oriented Deuterium Crystals in Silicon Nanochannels
б.г.
ISBN отсутствует
Автор: Hofmann, T.
Physical Review Letters: Growth of Highly Oriented Deuterium Crystals in Silicon Nanochannels
б.г.
ISBN отсутствует
Статья
Hofmann, T.
Growth of Highly Oriented Deuterium Crystals in Silicon Nanochannels / T.Hofmann, [et al.] // Physical Review Letters. – 2013. – Vol.110, No.6. – p.065505. – URL: http://dx.doi.org/10.1103/PhysRevLett.110.065505. – Bibliogr.:37.
Спец.(статьи,препринты) = С 33 а - Нанофизика. Нанотехнология$
Hofmann, T.
Growth of Highly Oriented Deuterium Crystals in Silicon Nanochannels / T.Hofmann, [et al.] // Physical Review Letters. – 2013. – Vol.110, No.6. – p.065505. – URL: http://dx.doi.org/10.1103/PhysRevLett.110.065505. – Bibliogr.:37.
Спец.(статьи,препринты) = С 33 а - Нанофизика. Нанотехнология$