Электронный каталог

Статья

Markurt, T.
Blocking Growth by an Electrically Active Subsurface Layer: The Effect of Si as an Antisurfactant in the Growth of GaN / T.Markurt, [et al.] // Physical Review Letters. – 2013. – Vol.110, No.3. – p.036103. – URL: http://dx.doi.org/10.1103/PhysRevLett.110.036103. – Bibliogr.:35.



Спец.(статьи,препринты) = С 325.8 - Квантовые объекты низкой размерности (за исключением эффектов Холла)$