Поиск :
Личный кабинет :
Электронный каталог: Maassen, J. - Suppressing Leakage by Localized Doping in Si Nanotransistor Channels
Maassen, J. - Suppressing Leakage by Localized Doping in Si Nanotransistor Channels
Статья
Автор: Maassen, J.
Physical Review Letters: Suppressing Leakage by Localized Doping in Si Nanotransistor Channels
б.г.
ISBN отсутствует
Автор: Maassen, J.
Physical Review Letters: Suppressing Leakage by Localized Doping in Si Nanotransistor Channels
б.г.
ISBN отсутствует
На полку
Статья
Maassen, J.
Suppressing Leakage by Localized Doping in Si Nanotransistor Channels / J.Maassen, H.Guo // Physical Review Letters. – 2012. – Vol.109, No.26. – p.266803. – URL: http://dx.doi.org/10.1103/PhysRevLett.109.266803. – Bibliogr.:20.
Спец.(статьи,препринты) = С 33 а - Нанофизика. Нанотехнология$
Maassen, J.
Suppressing Leakage by Localized Doping in Si Nanotransistor Channels / J.Maassen, H.Guo // Physical Review Letters. – 2012. – Vol.109, No.26. – p.266803. – URL: http://dx.doi.org/10.1103/PhysRevLett.109.266803. – Bibliogr.:20.
Спец.(статьи,препринты) = С 33 а - Нанофизика. Нанотехнология$
Привязано к:
Доступно
1 из 1
Выпуск
Physical Review Letters Vol.109, No.26
The American Physical Society, 28/12/2012 г.
ISBN отсутствует
Библиотека : ЦБ.ЧЗ
Physical Review Letters Vol.109, No.26
The American Physical Society, 28/12/2012 г.
ISBN отсутствует
Библиотека : ЦБ.ЧЗ