Электронный каталог

Статья

Akturk, A.
Radiation Effects in Commercial 1200 V 24 A Silicon Carbide Power MOSFETs / A.Akturk, [et al.] // IEEE Transactions on Nuclear Science. – 2012. – Vol.59,No.6, Pt.2. – p.3258-64. – URL: http://dx.doi.org/10.1109/TNS.2012.2223763. – Bibliogr.:24.



Спец.(статьи,препринты) = С 349.1 - Действие излучения на материалы$