Поиск :
Личный кабинет :
Электронный каталог: Hestroffer, K. - Polarity of GaN Nanowires Grown by Plasma-Assisted Molecular Beam Epitaxy on Si(111)
Hestroffer, K. - Polarity of GaN Nanowires Grown by Plasma-Assisted Molecular Beam Epitaxy on Si(111)
Статья
Автор: Hestroffer, K.
Physical Review B: Polarity of GaN Nanowires Grown by Plasma-Assisted Molecular Beam Epitaxy on Si(111)
б.г.
ISBN отсутствует
Автор: Hestroffer, K.
Physical Review B: Polarity of GaN Nanowires Grown by Plasma-Assisted Molecular Beam Epitaxy on Si(111)
б.г.
ISBN отсутствует
На полку
Статья
Hestroffer, K.
Polarity of GaN Nanowires Grown by Plasma-Assisted Molecular Beam Epitaxy on Si(111) / K.Hestroffer, [a.o.] // Physical Review B : Condensed Matter and Materials Physics. – 2011. – Vol.84, No.24. – p.245302. – URL: http://dx.doi.org/10.1103/PhysRevB.84.245302. – Bibliogr.:46.
Спец.(статьи,препринты) = С 33 а - Нанофизика. Нанотехнология$
Hestroffer, K.
Polarity of GaN Nanowires Grown by Plasma-Assisted Molecular Beam Epitaxy on Si(111) / K.Hestroffer, [a.o.] // Physical Review B : Condensed Matter and Materials Physics. – 2011. – Vol.84, No.24. – p.245302. – URL: http://dx.doi.org/10.1103/PhysRevB.84.245302. – Bibliogr.:46.
Спец.(статьи,препринты) = С 33 а - Нанофизика. Нанотехнология$
Привязано к:
Доступно
1 из 1
Выпуск
Physical Review B: Condensed Matter and Materials Physics Vol.84, No.24
The American Physical Society, 12/2011 г.
ISBN отсутствует
Библиотека : ЦБ.ЧЗ
Physical Review B: Condensed Matter and Materials Physics Vol.84, No.24
The American Physical Society, 12/2011 г.
ISBN отсутствует
Библиотека : ЦБ.ЧЗ