Поиск :
Личный кабинет :
Электронный каталог: Hu, Z. - Comprehensive Study on the Total Dose Effects in a 180-nm CMOS Technology
Hu, Z. - Comprehensive Study on the Total Dose Effects in a 180-nm CMOS Technology
Статья
Автор: Hu, Z.
IEEE Transactions on Nuclear Science: Comprehensive Study on the Total Dose Effects in a 180-nm CMOS Technology
б.г.
ISBN отсутствует
Автор: Hu, Z.
IEEE Transactions on Nuclear Science: Comprehensive Study on the Total Dose Effects in a 180-nm CMOS Technology
б.г.
ISBN отсутствует
Статья
Hu, Z.
Comprehensive Study on the Total Dose Effects in a 180-nm CMOS Technology / Z.Hu, [a.o.] // IEEE Transactions on Nuclear Science. – 2011. – Vol.58,No.3, Pt.3. – p.1347-1354. – URL: http://dx.doi.org/10.1109/TNS.2011.2132145. – Bibliogr.:21.
Спец.(статьи,препринты) = С 349.1 - Действие излучения на материалы$
Hu, Z.
Comprehensive Study on the Total Dose Effects in a 180-nm CMOS Technology / Z.Hu, [a.o.] // IEEE Transactions on Nuclear Science. – 2011. – Vol.58,No.3, Pt.3. – p.1347-1354. – URL: http://dx.doi.org/10.1109/TNS.2011.2132145. – Bibliogr.:21.
Спец.(статьи,препринты) = С 349.1 - Действие излучения на материалы$