Поиск :
Личный кабинет :
Электронный каталог: Marczewski, J. - Development of a Monolithic Active Pixel Sensor Using SOI Technology With a Thick Device Layer
Marczewski, J. - Development of a Monolithic Active Pixel Sensor Using SOI Technology With a Thick Device Layer
Статья
Автор: Marczewski, J.
IEEE Transactions on Nuclear Science: Development of a Monolithic Active Pixel Sensor Using SOI Technology With a Thick Device Layer
б.г.
ISBN отсутствует
Автор: Marczewski, J.
IEEE Transactions on Nuclear Science: Development of a Monolithic Active Pixel Sensor Using SOI Technology With a Thick Device Layer
б.г.
ISBN отсутствует
Статья
Marczewski, J.
Development of a Monolithic Active Pixel Sensor Using SOI Technology With a Thick Device Layer / J.Marczewski, [a.o.] // IEEE Transactions on Nuclear Science. – 2010. – Vol.57,No.1, Pt.2. – p.381-386. – URL: http://dx.doi.org/10.1109/TNS.2009.2036435. – Bibliogr.:7.
Спец.(статьи,препринты) = С 344.1м - Полупроводниковые детекторы
Marczewski, J.
Development of a Monolithic Active Pixel Sensor Using SOI Technology With a Thick Device Layer / J.Marczewski, [a.o.] // IEEE Transactions on Nuclear Science. – 2010. – Vol.57,No.1, Pt.2. – p.381-386. – URL: http://dx.doi.org/10.1109/TNS.2009.2036435. – Bibliogr.:7.
Спец.(статьи,препринты) = С 344.1м - Полупроводниковые детекторы