Поиск :
Личный кабинет :
Электронный каталог: Bertuccio, G. - Noise Minimization of MOSFET Input Charge Amplifiers Based on *D*m and *DN 1/f Models
Bertuccio, G. - Noise Minimization of MOSFET Input Charge Amplifiers Based on *D*m and *DN 1/f Models
Статья
Автор: Bertuccio, G.
IEEE Transactions on Nuclear Science: Noise Minimization of MOSFET Input Charge Amplifiers Based on *D*m and *DN 1/f Models
б.г.
ISBN отсутствует
Автор: Bertuccio, G.
IEEE Transactions on Nuclear Science: Noise Minimization of MOSFET Input Charge Amplifiers Based on *D*m and *DN 1/f Models
б.г.
ISBN отсутствует
Статья
Bertuccio, G.
Noise Minimization of MOSFET Input Charge Amplifiers Based on *D*m and *DN 1/f Models / G.Bertuccio, S.Caccia // IEEE Transactions on Nuclear Science. – 2009. – Vol.56, No.3, Pt.3. – p.1511-1520. – URL: http://dx.doi.org/10.1109/TNS.2008.2012347. – Bibliogr.:28.
Спец.(статьи,препринты) = С 344.3а - Схемы усилителей сигналов, поступающих от детекторов. Усилители импульсов наносекундного диапазона
Bertuccio, G.
Noise Minimization of MOSFET Input Charge Amplifiers Based on *D*m and *DN 1/f Models / G.Bertuccio, S.Caccia // IEEE Transactions on Nuclear Science. – 2009. – Vol.56, No.3, Pt.3. – p.1511-1520. – URL: http://dx.doi.org/10.1109/TNS.2008.2012347. – Bibliogr.:28.
Спец.(статьи,препринты) = С 344.3а - Схемы усилителей сигналов, поступающих от детекторов. Усилители импульсов наносекундного диапазона