Поиск :
Личный кабинет :
Электронный каталог: Kim, M. C. - Nonvolatile Memories Using Deep Traps Formed in Al&sub(2)O&sub(3) by Metal Ion Implantation
Kim, M. C. - Nonvolatile Memories Using Deep Traps Formed in Al&sub(2)O&sub(3) by Metal Ion Implantation
![](/opacUnicode/app/webroot/img/doctypes/6.gif)
Статья
Автор: Kim, M. C.
Applied Physics Letters: Nonvolatile Memories Using Deep Traps Formed in Al&sub(2)O&sub(3) by Metal Ion Implantation
б.г.
ISBN отсутствует
Автор: Kim, M. C.
Applied Physics Letters: Nonvolatile Memories Using Deep Traps Formed in Al&sub(2)O&sub(3) by Metal Ion Implantation
б.г.
ISBN отсутствует
Статья
Kim, M.C.
Nonvolatile Memories Using Deep Traps Formed in Al&sub(2)O&sub(3) by Metal Ion Implantation / M.C.Kim, [et al.] // Applied Physics Letters. – 2009. – Vol.94, No.11. – p.112110. – URL: http://dx.doi.org/10.1063/1.3097799. – Bibliogr.:20.
Спец.(статьи,препринты) = Ц 841 в - Запоминающие устройства
Kim, M.C.
Nonvolatile Memories Using Deep Traps Formed in Al&sub(2)O&sub(3) by Metal Ion Implantation / M.C.Kim, [et al.] // Applied Physics Letters. – 2009. – Vol.94, No.11. – p.112110. – URL: http://dx.doi.org/10.1063/1.3097799. – Bibliogr.:20.
Спец.(статьи,препринты) = Ц 841 в - Запоминающие устройства