Поиск :
Личный кабинет :
Электронный каталог: Huang, B. - Making a Field Effect Transistor of a Single Graphene Nanoribbon by Selective Doping
Huang, B. - Making a Field Effect Transistor of a Single Graphene Nanoribbon by Selective Doping
Статья
Автор: Huang, B.
Applied Physics Letters: Making a Field Effect Transistor of a Single Graphene Nanoribbon by Selective Doping
б.г.
ISBN отсутствует
Автор: Huang, B.
Applied Physics Letters: Making a Field Effect Transistor of a Single Graphene Nanoribbon by Selective Doping
б.г.
ISBN отсутствует
На полку
Статья
Huang, B.
Making a Field Effect Transistor of a Single Graphene Nanoribbon by Selective Doping / B.Huang, [et al.] // Applied Physics Letters. – 2007. – Vol.91, No.25. – p.253122. – URL: http://dx.doi.org/10.1063/1.2826547. – Bibliogr.:24.
Спец.(статьи,препринты) = С 325.8 - Квантовые объекты низкой размерности (за исключением эффектов Холла)$
Huang, B.
Making a Field Effect Transistor of a Single Graphene Nanoribbon by Selective Doping / B.Huang, [et al.] // Applied Physics Letters. – 2007. – Vol.91, No.25. – p.253122. – URL: http://dx.doi.org/10.1063/1.2826547. – Bibliogr.:24.
Спец.(статьи,препринты) = С 325.8 - Квантовые объекты низкой размерности (за исключением эффектов Холла)$
Привязано к:
Доступно
1 из 1
Выпуск
Applied Physics Letters Vol.91, No.25
American Institute of Physics, 17/12/2007 г.
ISBN отсутствует
Библиотека : ЦБ
Applied Physics Letters Vol.91, No.25
American Institute of Physics, 17/12/2007 г.
ISBN отсутствует
Библиотека : ЦБ