Поиск :
Личный кабинет :
Электронный каталог: Nageswara Rao, S. V. S. - Effect of Energetic Ions on the Stability of Bond-Center Hydrogen in Silicon
Nageswara Rao, S. V. S. - Effect of Energetic Ions on the Stability of Bond-Center Hydrogen in Silicon
Статья
Автор: Nageswara Rao, S. V. S.
Physical Review B: Effect of Energetic Ions on the Stability of Bond-Center Hydrogen in Silicon
б.г.
ISBN отсутствует
Автор: Nageswara Rao, S. V. S.
Physical Review B: Effect of Energetic Ions on the Stability of Bond-Center Hydrogen in Silicon
б.г.
ISBN отсутствует
Статья
Nageswara Rao, S.V.S.
Effect of Energetic Ions on the Stability of Bond-Center Hydrogen in Silicon / S.V.S.Nageswara Rao, [a.o.] // Physical Review B : Condensed Matter and Materials Physics. – 2007. – Vol.75, No.23. – p.235202. – URL: http://dx.doi.org/10.1103/PhysRevB.75.235202. – Bibliogr.:26.
Спец.(статьи,препринты) = С 342 б3 - Перезарядка тяжелых ионов в веществе
Nageswara Rao, S.V.S.
Effect of Energetic Ions on the Stability of Bond-Center Hydrogen in Silicon / S.V.S.Nageswara Rao, [a.o.] // Physical Review B : Condensed Matter and Materials Physics. – 2007. – Vol.75, No.23. – p.235202. – URL: http://dx.doi.org/10.1103/PhysRevB.75.235202. – Bibliogr.:26.
Спец.(статьи,препринты) = С 342 б3 - Перезарядка тяжелых ионов в веществе