Поиск :
Личный кабинет :
Электронный каталог: Okano, S. - Effect of Electron and Hole Doping on the Structure of C, Si, and S Nanowires
Okano, S. - Effect of Electron and Hole Doping on the Structure of C, Si, and S Nanowires
Статья
Автор: Okano, S.
Physical Review B: Effect of Electron and Hole Doping on the Structure of C, Si, and S Nanowires
б.г.
ISBN отсутствует
Автор: Okano, S.
Physical Review B: Effect of Electron and Hole Doping on the Structure of C, Si, and S Nanowires
б.г.
ISBN отсутствует
На полку
Статья
Okano, S.
Effect of Electron and Hole Doping on the Structure of C, Si, and S Nanowires / S.Okano, D.Tomanek // Physical Review B : Condensed Matter and Materials Physics. – 2007. – Vol.75, No.19. – p.195409. – URL: http://dx.doi.org/10.1103/PhysRevB.75.195409. – Bibliogr.:25.
Спец.(статьи,препринты) = С 33 а - Нанофизика. Нанотехнология$
Okano, S.
Effect of Electron and Hole Doping on the Structure of C, Si, and S Nanowires / S.Okano, D.Tomanek // Physical Review B : Condensed Matter and Materials Physics. – 2007. – Vol.75, No.19. – p.195409. – URL: http://dx.doi.org/10.1103/PhysRevB.75.195409. – Bibliogr.:25.
Спец.(статьи,препринты) = С 33 а - Нанофизика. Нанотехнология$
Привязано к:
Доступно
1 из 1
Выпуск
Physical Review B: Condensed Matter and Materials Physics Vol.75, No.19
The American Physical Society, 05/2007 г.
ISBN отсутствует
Библиотека : ЦБ.ЧЗ
Physical Review B: Condensed Matter and Materials Physics Vol.75, No.19
The American Physical Society, 05/2007 г.
ISBN отсутствует
Библиотека : ЦБ.ЧЗ