Поиск :
Личный кабинет :
Электронный каталог: Погосов, В.В. - Влияние перегрева электронов на туннельный ток молекулярного транзистора
Погосов, В.В. - Влияние перегрева электронов на туннельный ток молекулярного транзистора
Статья
Автор: Погосов, В.В.
Журнал технической физики.Письма.: Влияние перегрева электронов на туннельный ток молекулярного транзистора
б.г.
ISBN отсутствует
Автор: Погосов, В.В.
Журнал технической физики.Письма.: Влияние перегрева электронов на туннельный ток молекулярного транзистора
б.г.
ISBN отсутствует
Статья
Погосов, В.В.
Влияние перегрева электронов на туннельный ток молекулярного транзистора / В.В.Погосов, [и др.] // Журнал технической физики.Письма. – 2007. – T.33, No.17. – с.1-9. – URL: http://www.ioffe.rssi.ru/journals/pjtf/2007/17/p1-9.pdf. – Библиогр.:12.
Спец.(статьи,препринты) = С 33 а - Нанофизика. Нанотехнология$
Погосов, В.В.
Влияние перегрева электронов на туннельный ток молекулярного транзистора / В.В.Погосов, [и др.] // Журнал технической физики.Письма. – 2007. – T.33, No.17. – с.1-9. – URL: http://www.ioffe.rssi.ru/journals/pjtf/2007/17/p1-9.pdf. – Библиогр.:12.
Спец.(статьи,препринты) = С 33 а - Нанофизика. Нанотехнология$