Поиск :
Личный кабинет :
Электронный каталог: Coleman, P. G. - Monovacancy and Interstitial Migration in Ion-Implanted Silicon
Coleman, P. G. - Monovacancy and Interstitial Migration in Ion-Implanted Silicon
Статья
Автор: Coleman, P. G.
Physical Review Letters: Monovacancy and Interstitial Migration in Ion-Implanted Silicon
б.г.
ISBN отсутствует
Автор: Coleman, P. G.
Physical Review Letters: Monovacancy and Interstitial Migration in Ion-Implanted Silicon
б.г.
ISBN отсутствует
Статья
Coleman, P.G.
Monovacancy and Interstitial Migration in Ion-Implanted Silicon / P.G.Coleman, C.P.Burrows // Physical Review Letters. – 2007. – Vol.98, No.26. – p.265502. – URL: http://dx.doi.org/10.1103/PhysRevLett.98.265502. – Bibliogr.:32.
Спец.(статьи,препринты) = С 342 б3 - Перезарядка тяжелых ионов в веществе
Спец.(статьи,препринты) = С 349.1 - Действие излучения на материалы$
Coleman, P.G.
Monovacancy and Interstitial Migration in Ion-Implanted Silicon / P.G.Coleman, C.P.Burrows // Physical Review Letters. – 2007. – Vol.98, No.26. – p.265502. – URL: http://dx.doi.org/10.1103/PhysRevLett.98.265502. – Bibliogr.:32.
Спец.(статьи,препринты) = С 342 б3 - Перезарядка тяжелых ионов в веществе
Спец.(статьи,препринты) = С 349.1 - Действие излучения на материалы$