Поиск :
Личный кабинет :
Электронный каталог: Пагава, Т.А. - Особенности отжига радиационных дефектов в облученных кристаллах p-Si
Пагава, Т.А. - Особенности отжига радиационных дефектов в облученных кристаллах p-Si
Статья
Автор: Пагава, Т.А.
Физика и техника полупроводников: Особенности отжига радиационных дефектов в облученных кристаллах p-Si
б.г.
ISBN отсутствует
Автор: Пагава, Т.А.
Физика и техника полупроводников: Особенности отжига радиационных дефектов в облученных кристаллах p-Si
б.г.
ISBN отсутствует
На полку
Статья
Пагава, Т.А.
Особенности отжига радиационных дефектов в облученных кристаллах p-Si / Т.А.Пагава // Физика и техника полупроводников. – 2007. – Т.41,No.6. – с.651-653. – URL: http://www.ioffe.rssi.ru/journals/ftp/2007/06/p651-653.pdf. – Библиогр.:11.
Спец.(статьи,препринты) = С 349.1 - Действие излучения на материалы$
Пагава, Т.А.
Особенности отжига радиационных дефектов в облученных кристаллах p-Si / Т.А.Пагава // Физика и техника полупроводников. – 2007. – Т.41,No.6. – с.651-653. – URL: http://www.ioffe.rssi.ru/journals/ftp/2007/06/p651-653.pdf. – Библиогр.:11.
Спец.(статьи,препринты) = С 349.1 - Действие излучения на материалы$
Привязано к:
Доступно
1 из 1