Электронный каталог

Статья

Chaudhuri, S.K.
Isochromal Annealing Behaviour of Defects Induced by Swift Oxygen ions in High-Resistivity p-Type Silicon / S.K.Chaudhuri, [et al.] // Journal of Physics:Condensed Matter. – 2007. – Vol.19, No.21. – p.216206. – URL: http://dx.doi.org/10.1088/0953-8984/19/21/216206. – Bibliogr.:24.



Спец.(статьи,препринты) = С 342 б3 - Перезарядка тяжелых ионов в веществе