Поиск :
Личный кабинет :
Электронный каталог: Karmouch, R. - Damage Evolution in Low-Energy Ion Implanted Silicon
Karmouch, R. - Damage Evolution in Low-Energy Ion Implanted Silicon
![](/OpacUnicode/app/webroot/img/doctypes/6.gif)
Статья
Автор: Karmouch, R.
Physical Review B: Damage Evolution in Low-Energy Ion Implanted Silicon
б.г.
ISBN отсутствует
Автор: Karmouch, R.
Physical Review B: Damage Evolution in Low-Energy Ion Implanted Silicon
б.г.
ISBN отсутствует
Статья
Karmouch, R.
Damage Evolution in Low-Energy Ion Implanted Silicon / R.Karmouch, [et al.] // Physical Review B : Condensed Matter and Materials Physics. – 2007. – Vol.75, No.7. – p.075304. – URL: http://dx.doi.org/10.1103/PhysRevB.75.075304. – Bibliogr.:42.
Спец.(статьи,препринты) = С 342 б3 - Перезарядка тяжелых ионов в веществе
Karmouch, R.
Damage Evolution in Low-Energy Ion Implanted Silicon / R.Karmouch, [et al.] // Physical Review B : Condensed Matter and Materials Physics. – 2007. – Vol.75, No.7. – p.075304. – URL: http://dx.doi.org/10.1103/PhysRevB.75.075304. – Bibliogr.:42.
Спец.(статьи,препринты) = С 342 б3 - Перезарядка тяжелых ионов в веществе