Поиск :
Личный кабинет :
Электронный каталог: Kuitunen, K. - Positron Trapping Kinetics in Thermally Generated Vacancy Donor Complexes in Highly As-Doped Silicon
Kuitunen, K. - Positron Trapping Kinetics in Thermally Generated Vacancy Donor Complexes in Highly As-Doped Silicon
Статья
Автор: Kuitunen, K.
Physical Review B: Positron Trapping Kinetics in Thermally Generated Vacancy Donor Complexes in Highly As-Doped Silicon
б.г.
ISBN отсутствует
Автор: Kuitunen, K.
Physical Review B: Positron Trapping Kinetics in Thermally Generated Vacancy Donor Complexes in Highly As-Doped Silicon
б.г.
ISBN отсутствует
Статья
Kuitunen, K.
Positron Trapping Kinetics in Thermally Generated Vacancy Donor Complexes in Highly As-Doped Silicon / K.Kuitunen, [a.o.] // Physical Review B : Condensed Matter and Materials Physics. – 2007. – Vol.75, No.4. – p.045210. – URL: http://dx.doi.org/10.1103/PhysRevB.75.045210. – Bibliogr.:19.
Спец.(статьи,препринты) = С 332.3 - Образование электронно-позитронных пар. Позитрон, позитроний. Взаимодействие позитрона с веществом
Kuitunen, K.
Positron Trapping Kinetics in Thermally Generated Vacancy Donor Complexes in Highly As-Doped Silicon / K.Kuitunen, [a.o.] // Physical Review B : Condensed Matter and Materials Physics. – 2007. – Vol.75, No.4. – p.045210. – URL: http://dx.doi.org/10.1103/PhysRevB.75.045210. – Bibliogr.:19.
Спец.(статьи,препринты) = С 332.3 - Образование электронно-позитронных пар. Позитрон, позитроний. Взаимодействие позитрона с веществом