Поиск :
Личный кабинет :
Электронный каталог: Кажукаускас, В. - Воздействие облучения протонами больших энергий на 4H-SiC-детекторы
Кажукаускас, В. - Воздействие облучения протонами больших энергий на 4H-SiC-детекторы
Статья
Автор: Кажукаускас, В.
Физика и техника полупроводников: Воздействие облучения протонами больших энергий на 4H-SiC-детекторы
б.г.
ISBN отсутствует
Автор: Кажукаускас, В.
Физика и техника полупроводников: Воздействие облучения протонами больших энергий на 4H-SiC-детекторы
б.г.
ISBN отсутствует
Статья
Кажукаускас, В.
Воздействие облучения протонами больших энергий на 4H-SiC-детекторы / В.Кажукаускас, [и др.] // Физика и техника полупроводников. – 2007. – Т.41,No.3. – с.356-363. – URL: http://www.ioffe.rssi.ru/journals/ftp/2007/03/p356-363.pdf. – Библиогр.:22.
Спец.(статьи,препринты) = С 344.1 - Методы и аппаратура для регистрации элементарных частиц и фотонов$
Кажукаускас, В.
Воздействие облучения протонами больших энергий на 4H-SiC-детекторы / В.Кажукаускас, [и др.] // Физика и техника полупроводников. – 2007. – Т.41,No.3. – с.356-363. – URL: http://www.ioffe.rssi.ru/journals/ftp/2007/03/p356-363.pdf. – Библиогр.:22.
Спец.(статьи,препринты) = С 344.1 - Методы и аппаратура для регистрации элементарных частиц и фотонов$