Поиск :
Личный кабинет :
Электронный каталог: International Conference on Ion Implantation Technology (15; 2004; Taipei)
International Conference on Ion Implantation Technology (15; 2004; Taipei)
Статья
Автор:
Nuclear Instruments & Methods in Physics Research B: International Conference on Ion Implantation Technology (15; 2004; Taipei) : Proc. ..., Taipei, Taiwan, Republic of China, Oct.25-27, 2004
б.г.
ISBN отсутствует
Автор:
Nuclear Instruments & Methods in Physics Research B: International Conference on Ion Implantation Technology (15; 2004; Taipei) : Proc. ..., Taipei, Taiwan, Republic of China, Oct.25-27, 2004
б.г.
ISBN отсутствует
Статья
International Conference on Ion Implantation Technology (15; 2004; Taipei) : Proc ... , Taipei, Taiwan, Republic of China, Oct.25-27, 2004 // Nuclear Instruments & Methods in Physics Research B : Beam Interactins with Materials and Atoms. – 2005. – Vol.237, No.1/2. – URL: http://www.sciencedirect.com/science?_ob=IssueURL&_tockey=%23TOC%235315%232005%23997629998%23603517%23FLA%23&_auth=y&view=c&_acct=C000057066&_version=1&_urlVersion=0&_userid=2361977&md5=054a927e0ce0fc6604e88fe92b069598.
04
Индексный (книги) = С 36.71 - Физика полупроводников. Структура полупроводников. Кристаллическая решетка полупроводников. Структурный анализ, дефекты, твердые растворы полупроводников. Аморфные полупроводники. Тонкие слои полупроводников. Радиационные эффекты в полупроводниках. Механические свойства полупроводников. Электрические и магнитные свойства полупроводников. Тепловые свойства полупроводников. Кинетические явления в полупроводниках (фазовые равновесия, фазовые превращения, теплоемкость, теплопроводность, диффузия и самодиффузия)
Индексный (книги) = С 345 н - Источники ионов и электронные пушки. Источники поляризованных ионов. Получение пучков поляризованных частиц
Географический = Taipei, Taiwan, Republic of China
International Conference on Ion Implantation Technology (15; 2004; Taipei) : Proc ... , Taipei, Taiwan, Republic of China, Oct.25-27, 2004 // Nuclear Instruments & Methods in Physics Research B : Beam Interactins with Materials and Atoms. – 2005. – Vol.237, No.1/2. – URL: http://www.sciencedirect.com/science?_ob=IssueURL&_tockey=%23TOC%235315%232005%23997629998%23603517%23FLA%23&_auth=y&view=c&_acct=C000057066&_version=1&_urlVersion=0&_userid=2361977&md5=054a927e0ce0fc6604e88fe92b069598.
04
Индексный (книги) = С 36.71 - Физика полупроводников. Структура полупроводников. Кристаллическая решетка полупроводников. Структурный анализ, дефекты, твердые растворы полупроводников. Аморфные полупроводники. Тонкие слои полупроводников. Радиационные эффекты в полупроводниках. Механические свойства полупроводников. Электрические и магнитные свойства полупроводников. Тепловые свойства полупроводников. Кинетические явления в полупроводниках (фазовые равновесия, фазовые превращения, теплоемкость, теплопроводность, диффузия и самодиффузия)
Индексный (книги) = С 345 н - Источники ионов и электронные пушки. Источники поляризованных ионов. Получение пучков поляризованных частиц
Географический = Taipei, Taiwan, Republic of China