Поиск :
Личный кабинет :
Электронный каталог: Власукова, Л.А. - Структура поверхности GaAs, облученного ионами висмута с энергией 705 МэВ.
Власукова, Л.А. - Структура поверхности GaAs, облученного ионами висмута с энергией 705 МэВ.
Статья
Автор: Власукова, Л.А.
Известия Академии наук.Серия физическая: Структура поверхности GaAs, облученного ионами висмута с энергией 705 МэВ.
б.г.
ISBN отсутствует
Автор: Власукова, Л.А.
Известия Академии наук.Серия физическая: Структура поверхности GaAs, облученного ионами висмута с энергией 705 МэВ.
б.г.
ISBN отсутствует
Статья
Власукова, Л.А.
Структура поверхности GaAs, облученного ионами висмута с энергией 705 МэВ. / Л.А.Власукова, А.Ю.Дидык, [и др.] // Известия Академии наук.Серия физическая. – 2004. – T.68, No.3. – с.317-319. – Библиогр.:14.
Спец.(статьи,препринты) = С 349.1 - Действие излучения на материалы$
ОИЯИ = ОИЯИ (JINR)2004
Власукова, Л.А.
Структура поверхности GaAs, облученного ионами висмута с энергией 705 МэВ. / Л.А.Власукова, А.Ю.Дидык, [и др.] // Известия Академии наук.Серия физическая. – 2004. – T.68, No.3. – с.317-319. – Библиогр.:14.
Спец.(статьи,препринты) = С 349.1 - Действие излучения на материалы$
ОИЯИ = ОИЯИ (JINR)2004