Поиск :
Личный кабинет :
Электронный каталог: International Conference on Narrow Gap Semiconductors (11; 2003; Buffalo)
International Conference on Narrow Gap Semiconductors (11; 2003; Buffalo)
Статья
Автор:
Physica E: International Conference on Narrow Gap Semiconductors (11; 2003; Buffalo) : Proc. ..., Buffalo, NY, USA, June 16-20, 2003
б.г.
ISBN отсутствует
Автор:
Physica E: International Conference on Narrow Gap Semiconductors (11; 2003; Buffalo) : Proc. ..., Buffalo, NY, USA, June 16-20, 2003
б.г.
ISBN отсутствует
Статья
International Conference on Narrow Gap Semiconductors (11; 2003; Buffalo) : Proc ... , Buffalo, NY, USA, June 16-20, 2003 // Physica E : Low-Dimensional Systems & Nanostructures. – 2004. – Vol.20, No.3/4. – XV, p.189-577. – URL: http://www.sciencedirect.com/web-editions?_ob=IssueURL&_tockey=%23TOC%236159%232004%23999799996%23476461%23FLA%23Volume_20,_Issues_3-4,_Pages_189-577_(January_2004)%2BMProceedings_of_the_11th_International_Conference_on_Narrow_Gap_Semiconductors%2BMBuffalo,_NY,_USA,_16_June_-_20_June_2003%2BMEdited_by_B.D._McCombe,_J.R._Meyer&_auth=y&view=c&_acct=C000048845&_version=1&_urlVersion=0&_userid=942185&md5=1b27a129f55c83baa6e5fbbb4f702a3f.
04
Индексный (книги) = С 36.71 - Физика полупроводников. Структура полупроводников. Кристаллическая решетка полупроводников. Структурный анализ, дефекты, твердые растворы полупроводников. Аморфные полупроводники. Тонкие слои полупроводников. Радиационные эффекты в полупроводниках. Механические свойства полупроводников. Электрические и магнитные свойства полупроводников. Тепловые свойства полупроводников. Кинетические явления в полупроводниках (фазовые равновесия, фазовые превращения, теплоемкость, теплопроводность, диффузия и самодиффузия)
Географический = Buffalo, NY, USA
Хронологический = 16.06.2003-20.06.2003
International Conference on Narrow Gap Semiconductors (11; 2003; Buffalo) : Proc ... , Buffalo, NY, USA, June 16-20, 2003 // Physica E : Low-Dimensional Systems & Nanostructures. – 2004. – Vol.20, No.3/4. – XV, p.189-577. – URL: http://www.sciencedirect.com/web-editions?_ob=IssueURL&_tockey=%23TOC%236159%232004%23999799996%23476461%23FLA%23Volume_20,_Issues_3-4,_Pages_189-577_(January_2004)%2BMProceedings_of_the_11th_International_Conference_on_Narrow_Gap_Semiconductors%2BMBuffalo,_NY,_USA,_16_June_-_20_June_2003%2BMEdited_by_B.D._McCombe,_J.R._Meyer&_auth=y&view=c&_acct=C000048845&_version=1&_urlVersion=0&_userid=942185&md5=1b27a129f55c83baa6e5fbbb4f702a3f.
04
Индексный (книги) = С 36.71 - Физика полупроводников. Структура полупроводников. Кристаллическая решетка полупроводников. Структурный анализ, дефекты, твердые растворы полупроводников. Аморфные полупроводники. Тонкие слои полупроводников. Радиационные эффекты в полупроводниках. Механические свойства полупроводников. Электрические и магнитные свойства полупроводников. Тепловые свойства полупроводников. Кинетические явления в полупроводниках (фазовые равновесия, фазовые превращения, теплоемкость, теплопроводность, диффузия и самодиффузия)
Географический = Buffalo, NY, USA
Хронологический = 16.06.2003-20.06.2003