Поиск :
Личный кабинет :
Электронный каталог: International Conference on Defects in Semiconductors (ICDS-22) (22; 2003; Aarhus)
International Conference on Defects in Semiconductors (ICDS-22) (22; 2003; Aarhus)
Статья
Автор:
Physica B: International Conference on Defects in Semiconductors (ICDS-22) (22; 2003; Aarhus) : Proc. ..., Aarhus, Denmark, 28 July - 1 August 2003
б.г.
ISBN отсутствует
Автор:
Physica B: International Conference on Defects in Semiconductors (ICDS-22) (22; 2003; Aarhus) : Proc. ..., Aarhus, Denmark, 28 July - 1 August 2003
б.г.
ISBN отсутствует
Статья
International Conference on Defects in Semiconductors (ICDS-22) (22; 2003; Aarhus) : Proc ... , Aarhus, Denmark, 28 July - 1 August 2003 // Physica B : Condensed Matter. – 2003. – Vol.340/342. – 1182 p. – URL: http://www.sciencedirect.com/web-editions?_ob=IssueURL&_tockey=%23TOC%235535%232003%23996599999%23475328%23FLA%23Volumes_340-342,_Pages_1-1181_(31_December_2003)%2BMProceedings_of_the_22nd_International_Conference_on_Defects_in_Semiconductors%2BMAarhus,_Denmark,_28_July_-_1_August_2003%2BMEdited_by_K._Bonde_Nielsen,_A._Nylandsted_Larsen,_G._Weyer&_auth=y&view=c&_acct=C000048845&_version=1&_urlVersion=0&_userid=942185&md5=5254d723067c5b64814429a2c5512de2.
04
Индексный (книги) = С 36.71 - Физика полупроводников. Структура полупроводников. Кристаллическая решетка полупроводников. Структурный анализ, дефекты, твердые растворы полупроводников. Аморфные полупроводники. Тонкие слои полупроводников. Радиационные эффекты в полупроводниках. Механические свойства полупроводников. Электрические и магнитные свойства полупроводников. Тепловые свойства полупроводников. Кинетические явления в полупроводниках (фазовые равновесия, фазовые превращения, теплоемкость, теплопроводность, диффузия и самодиффузия)
Географический = Aarhus,Denmark
Хронологический = 28.07.2003-01.08.2003
International Conference on Defects in Semiconductors (ICDS-22) (22; 2003; Aarhus) : Proc ... , Aarhus, Denmark, 28 July - 1 August 2003 // Physica B : Condensed Matter. – 2003. – Vol.340/342. – 1182 p. – URL: http://www.sciencedirect.com/web-editions?_ob=IssueURL&_tockey=%23TOC%235535%232003%23996599999%23475328%23FLA%23Volumes_340-342,_Pages_1-1181_(31_December_2003)%2BMProceedings_of_the_22nd_International_Conference_on_Defects_in_Semiconductors%2BMAarhus,_Denmark,_28_July_-_1_August_2003%2BMEdited_by_K._Bonde_Nielsen,_A._Nylandsted_Larsen,_G._Weyer&_auth=y&view=c&_acct=C000048845&_version=1&_urlVersion=0&_userid=942185&md5=5254d723067c5b64814429a2c5512de2.
04
Индексный (книги) = С 36.71 - Физика полупроводников. Структура полупроводников. Кристаллическая решетка полупроводников. Структурный анализ, дефекты, твердые растворы полупроводников. Аморфные полупроводники. Тонкие слои полупроводников. Радиационные эффекты в полупроводниках. Механические свойства полупроводников. Электрические и магнитные свойства полупроводников. Тепловые свойства полупроводников. Кинетические явления в полупроводниках (фазовые равновесия, фазовые превращения, теплоемкость, теплопроводность, диффузия и самодиффузия)
Географический = Aarhus,Denmark
Хронологический = 28.07.2003-01.08.2003