Электронный каталог

Статья

Маслова, Н.А.
Комплексы собственных точечных дефектов в кремнии, сформированные в результате ионной имплантации ксенона высоких энергий и постимплантационных отжигов / Н.А.Маслова, Д.В.Данилов, В.А.Скуратов, [и др.]. – Текст : электронный // Физика и техника полупроводников. – 2025. – Т. 59, № 5. – С. 298-301. – URL: https://journals.ioffe.ru/articles/viewPDF/61477, https://doi.org/10.61011/FTP.2025.05.61477.8047. – Библиогр.: 12.

Исследовано пространственное распределение комплексов точечных дефектов по глубине в монокристаллическом кремнии, облученном ионами ксенона с энергией 167 МэВ и флюенсом 5·10&sup(11) см&sup(-2) и отожженном в интервале температур 400-600 &sup(o)C. Установлено, что по всей глубине области имплантации образуется большое число различных вакансионных комплексов, а на проекционной глубине имплантированных ионов возникает потенциальный барьер для протекания тока. Обнаружено, что высокая интенсивность спектральной линии люминесценции W/W', соответствующей межузельным комплексам, сохраняется и на глубинах, намного превосходящих проекционную длину, что может быть объяснено участием механизмов ускоренной диффузии собственных дефектов.



Спец.(статьи,препринты) = С 349.1 - Действие излучения на материалы$
Спец.(статьи,препринты) = С 36 - Физика твердого тела$
ОИЯИ = ОИЯИ (JINR)2025
Бюллетени = 14/026