Электронный каталог

Статья

Зур, И.А.
Зависимость удельного электросопротивления на переменном токе слоев алмазоподобного углерода в наноструктуре In/DLC//Si/In от толщины DLC / И.А.Зур, С.А.Мовчан, [и др.] // Физика твердого тела. – 2025. – Т. 67, № 2. – С. 246-256. – URL: https://journals.ioffe.ru/articles/viewPDF/59977. – Библиогр.: 25.

Посредством анализа спектров рентгеновской фотоэлектронной спектроскопии наноразмерных DLC-покрытий подтверждено увеличение количества атомов углерода с sp*2-гибридизацией электронных орбиталей от 8 до 21 % при увеличении толщины от 22 до 46 nm. Методом рентгеновской фотоэлектронной спектроскопии зафиксировано незначительное окисление и азотирование поверхности DLC. Предложена эквивалентная электрическая схема для описания частотных зависимостей импеданса слоя DLC и потенциального барьера на границе DLC//Si. Установлено, что удельное электросопротивление DLC в квазистатическом пределе уменьшается от 1000 до 1 *W·m при росте толщины от 22 до 71 nm. Зафиксировано, что импеданс структуры In/DLC//Si/In может уменьшаться до 20 раз при варьировании напряжения смещения в диапазоне -4-+4 V относительно подложки Si. Ключевые слова: DLC-покрытие, рентгеновская фотоэлектронная спектроскопия, импедансная спектроскопия, эквивалентная схема, зонная диаграмма, удельная электропроводность.



Спец.(статьи,препринты) = С 332.8 - Синхротронное излучение. Лазеры на свободных электронах. Получение и использование рентгеновских лучей
Спец.(статьи,препринты) = С 33 а - Нанофизика. Нанотехнология$
ОИЯИ = ОИЯИ (JINR)2025