Электронный каталог

Статья

Мацко, Н.Л.
Учет влияния подложки в первопринципных расчетах комбинационного рассеяния в монослое MoS&sub(2) на кварце / Н.Л.Мацко, Д.А.Шохонов, В.А.Осипов // Физика элементарных частиц и атомного ядра. Письма. – 2025. – Т. 22, № 3. – С. 431-435. – URL: http://www1.jinr.ru/Pepan_letters/panl_2025_3/14_Matsko.pdf. – Библиогр.: 8.

В рамках DFT изучается комбинационное рассеяние (КР) в монослое MoS&sub(2) на кварцевой подложке. Рассматривается несколько типов интерфейса MoS&sub(2)/SiO&sub(2), которыемогут реализовываться на практике. Первый тип интерфейса соответствует случаю «плотной» поверхности SiO&sub(2). Далее рассматриваются интерфейсы с различными дефектами и шероховатостями на поверхности кварца, а также интерфейс при наличии химических связей S-O. Расчеты показывают, что в случае ван-дер-ваальсова взаимодействия подложка слабо влияет на КР в MoS&sub(2), за исключением некоторых случаев с ярко выраженными дефектами поверхности на SiO&sub(2). Влияние подложки при наличии химических связей S-O проявляется гораздо сильнее, приводя к заметному расщеплению и смещению Е и А пиков КР в монослое MoS&sub(2)



Спец.(статьи,препринты) = С 326.4 - Коллективные эффекты. Сверхизлучение. Квантовая оптика. Эффект Холла
ОИЯИ = ОИЯИ (JINR)2025