Поиск :
Личный кабинет :
Электронный каталог: Дегтяренко, П.Н. - Сверхпроводящие свойства ВТСП лент 2-го поколения при облучении ионами Bi с энергией 670 МэВ
Дегтяренко, П.Н. - Сверхпроводящие свойства ВТСП лент 2-го поколения при облучении ионами Bi с энергией 670 МэВ
Статья
Автор: Дегтяренко, П.Н.
Краткие сообщения по физике [Электронный ресурс]: Сверхпроводящие свойства ВТСП лент 2-го поколения при облучении ионами Bi с энергией 670 МэВ
б.г.
ISBN отсутствует
Автор: Дегтяренко, П.Н.
Краткие сообщения по физике [Электронный ресурс]: Сверхпроводящие свойства ВТСП лент 2-го поколения при облучении ионами Bi с энергией 670 МэВ
б.г.
ISBN отсутствует
Статья
Дегтяренко, П.Н.
Сверхпроводящие свойства ВТСП лент 2-го поколения при облучении ионами Bi с энергией 670 МэВ / П.Н.Дегтяренко, В.А.Скуратов, В.К.Семина, М.С.Новиков, [и др.] // Краткие сообщения по физике [Электронный ресурс]. – 2024. – № 8. – С. 19-27. – URL: https://ksf.lebedev.ru/outputfile_mainpage.php?id=5833. – Библиогр.: 16.
Представлены результаты исследования намагниченности, динамической магнитной восприимчивости и микроструктуры образцов высокотемпературных сверхпроводящих лент 2-го поколения, облученных при комнатной температуре ионами Bi с энергией 670 МэВ до флюенсов 10*1*1 и 10*1*2 см*-*2 . Определены зависимости температуры сверхпроводящего перехода и плотности критического тока от флюенса. Для образца, облученного до флюенса 10*1*1 см*-*2 , наблюдается увеличение плотности критического тока по сравнению с контрольным необлученным образцом. Проведенный микроструктурный анализ облученных образцов демонстрирует наличие аморфных треков, которые могут выступать в роли эффективных центров пиннинга.
ОИЯИ = ОИЯИ (JINR)2024
Спец.(статьи,препринты) = С 349.1 - Действие излучения на материалы$
Спец.(статьи,препринты) = С 393 и - Высокотемпературная сверхпроводимость. Новые ВТСП$
Бюллетени = 47/024
Дегтяренко, П.Н.
Сверхпроводящие свойства ВТСП лент 2-го поколения при облучении ионами Bi с энергией 670 МэВ / П.Н.Дегтяренко, В.А.Скуратов, В.К.Семина, М.С.Новиков, [и др.] // Краткие сообщения по физике [Электронный ресурс]. – 2024. – № 8. – С. 19-27. – URL: https://ksf.lebedev.ru/outputfile_mainpage.php?id=5833. – Библиогр.: 16.
Представлены результаты исследования намагниченности, динамической магнитной восприимчивости и микроструктуры образцов высокотемпературных сверхпроводящих лент 2-го поколения, облученных при комнатной температуре ионами Bi с энергией 670 МэВ до флюенсов 10*1*1 и 10*1*2 см*-*2 . Определены зависимости температуры сверхпроводящего перехода и плотности критического тока от флюенса. Для образца, облученного до флюенса 10*1*1 см*-*2 , наблюдается увеличение плотности критического тока по сравнению с контрольным необлученным образцом. Проведенный микроструктурный анализ облученных образцов демонстрирует наличие аморфных треков, которые могут выступать в роли эффективных центров пиннинга.
ОИЯИ = ОИЯИ (JINR)2024
Спец.(статьи,препринты) = С 349.1 - Действие излучения на материалы$
Спец.(статьи,препринты) = С 393 и - Высокотемпературная сверхпроводимость. Новые ВТСП$
Бюллетени = 47/024