Поиск :
Личный кабинет :
Электронный каталог: Илларионов, Ю.Ю. - Полевой транзистор с графеновым каналом и эпитаксиальным слоем фторида кальция в роли подзатворно...
Илларионов, Ю.Ю. - Полевой транзистор с графеновым каналом и эпитаксиальным слоем фторида кальция в роли подзатворно...
Статья
Автор: Илларионов, Ю.Ю.
Журнал технической физики. Письма: Полевой транзистор с графеновым каналом и эпитаксиальным слоем фторида кальция в роли подзатворно...
б.г.
ISBN отсутствует
Автор: Илларионов, Ю.Ю.
Журнал технической физики. Письма: Полевой транзистор с графеновым каналом и эпитаксиальным слоем фторида кальция в роли подзатворно...
б.г.
ISBN отсутствует
Статья
Илларионов, Ю.Ю.
Полевой транзистор с графеновым каналом и эпитаксиальным слоем фторида кальция в роли подзатворного диэлектрика / Ю.Ю.Илларионов, [и др.] // Журнал технической физики. Письма. – 2024. – Т. 50, № 3/4. – С. 27-30(№4). – URL: https://journals.ioffe.ru/articles/viewPDF/57097. – Библиогр.: 9.
Спец.(статьи,препринты) = Ц 738.21 - Интегральные схемы. Микросхемотехника
Спец.(статьи,препринты) = С 325.7 - Фуллерены (Сn). Атомные кластеры
Илларионов, Ю.Ю.
Полевой транзистор с графеновым каналом и эпитаксиальным слоем фторида кальция в роли подзатворного диэлектрика / Ю.Ю.Илларионов, [и др.] // Журнал технической физики. Письма. – 2024. – Т. 50, № 3/4. – С. 27-30(№4). – URL: https://journals.ioffe.ru/articles/viewPDF/57097. – Библиогр.: 9.
Спец.(статьи,препринты) = Ц 738.21 - Интегральные схемы. Микросхемотехника
Спец.(статьи,препринты) = С 325.7 - Фуллерены (Сn). Атомные кластеры