Поиск :
Личный кабинет :
Электронный каталог: Дегтяренко, П.Н. - Влияние облучения ионами Хе с энергией1167 МэВ на сверхпроводящие свойства ВТСП-лент второго поко...
Дегтяренко, П.Н. - Влияние облучения ионами Хе с энергией1167 МэВ на сверхпроводящие свойства ВТСП-лент второго поко...
![](/OpacUnicode/app/webroot/img/doctypes/6.gif)
Статья
Автор: Дегтяренко, П.Н.
Журнал экспериментальной и теоретической физики: Влияние облучения ионами Хе с энергией1167 МэВ на сверхпроводящие свойства ВТСП-лент второго поко...
б.г.
ISBN отсутствует
Автор: Дегтяренко, П.Н.
Журнал экспериментальной и теоретической физики: Влияние облучения ионами Хе с энергией1167 МэВ на сверхпроводящие свойства ВТСП-лент второго поко...
б.г.
ISBN отсутствует
Статья
Дегтяренко, П.Н.
Влияние облучения ионами Хе с энергией1167 МэВ на сверхпроводящие свойства ВТСП-лент второго поколения / П.Н.Дегтяренко, В.А.Скуратов, В.К.Семина, М.С.Новиков, [и др.] // Журнал экспериментальной и теоретической физики. – 2024. – Т. 165, № 6. – С. 827-832. – URL: http://jetp.ras.ru/cgi-bin/dn/r_165_0827.pdf. – Библиогр.: 15.
Проведены систематические исследования ВТСП-лент второго поколения, облученных высокоэнергетичными ионами Xe с энергией 167 МэВ и флюенсами до 1 · 1012 см−2 . Определено оптимальное значение флюенса (количества частиц, прошедших через 1 см2 поверхности образца) для получения максимального критического тока при различных температурах и внешних магнитных полях. Увеличение внешнего магнитного поля приводит к смещению пика критического тока в сторону больших значений флюенсов во всем диапазоне температур. Приводятся результаты микроструктурных исследований методами просвечивающей/растровой электронной микроскопии и рентгеновской дифракции. Показано, что в результате облучения образуются ионные треки диаметром порядка 5–8 нм, выступающие в роли эффективных центров пиннинга. Рентгеноструктурный анализ свидетельствует о снижении остроты текстуры под воздействием облучения.
ОИЯИ = ОИЯИ (JINR)2024
Спец.(статьи,препринты) = С 349.1 - Действие излучения на материалы$
Дегтяренко, П.Н.
Влияние облучения ионами Хе с энергией1167 МэВ на сверхпроводящие свойства ВТСП-лент второго поколения / П.Н.Дегтяренко, В.А.Скуратов, В.К.Семина, М.С.Новиков, [и др.] // Журнал экспериментальной и теоретической физики. – 2024. – Т. 165, № 6. – С. 827-832. – URL: http://jetp.ras.ru/cgi-bin/dn/r_165_0827.pdf. – Библиогр.: 15.
Проведены систематические исследования ВТСП-лент второго поколения, облученных высокоэнергетичными ионами Xe с энергией 167 МэВ и флюенсами до 1 · 1012 см−2 . Определено оптимальное значение флюенса (количества частиц, прошедших через 1 см2 поверхности образца) для получения максимального критического тока при различных температурах и внешних магнитных полях. Увеличение внешнего магнитного поля приводит к смещению пика критического тока в сторону больших значений флюенсов во всем диапазоне температур. Приводятся результаты микроструктурных исследований методами просвечивающей/растровой электронной микроскопии и рентгеновской дифракции. Показано, что в результате облучения образуются ионные треки диаметром порядка 5–8 нм, выступающие в роли эффективных центров пиннинга. Рентгеноструктурный анализ свидетельствует о снижении остроты текстуры под воздействием облучения.
ОИЯИ = ОИЯИ (JINR)2024
Спец.(статьи,препринты) = С 349.1 - Действие излучения на материалы$