Электронный каталог

Статья

Мешков, И.Н.
Возникновение дефектов при электронном облучении синтетических HPHT-алмазов по данным позитронной аннигиляционной спектроскопии / И.Н.Мешков, А.А.Сидорин, О.С.Орлов, [и др.] // Физика элементарных частиц и атомного ядра. Письма. – 2024. – Т. 21, № 3. – С. 660-668. – URL: http://www1.jinr.ru/Pepan_letters/panl_2024_3/52_Meshkov_r.pdf. – Библиогр.: 18.

Определена концентрация отрицательно заряженных вакансий, образовавшихся после электронного облучения синтетической монокристаллической алмазной пластины с азото-замещенными вакансиями. Определение концентрации производилось методом инфракрасной (ИК) спектроскопии и методом позитронной аннигиляционной спектроскопии (ПАС). Показано, что ПАС на монохроматическом пучке позитронов можно использовать для неразрушающего контроля концентрации вакансий по глубине алмазной пластины



Спец.(статьи,препринты) = С 349.1 - Действие излучения на материалы$
ОИЯИ = ОИЯИ (JINR)2024
Бюллетени = 30/024