Поиск :
Личный кабинет :
Электронный каталог: Никитина, И.П. - Эффект геттерирования в Cr/4H-SiC УФ фотодетекторах при облучении протонами с энергией 15 MeV
Никитина, И.П. - Эффект геттерирования в Cr/4H-SiC УФ фотодетекторах при облучении протонами с энергией 15 MeV
Статья
Автор: Никитина, И.П.
Журнал технической физики: Эффект геттерирования в Cr/4H-SiC УФ фотодетекторах при облучении протонами с энергией 15 MeV
б.г.
ISBN отсутствует
Автор: Никитина, И.П.
Журнал технической физики: Эффект геттерирования в Cr/4H-SiC УФ фотодетекторах при облучении протонами с энергией 15 MeV
б.г.
ISBN отсутствует
На полку
Статья
Никитина, И.П.
Эффект геттерирования в Cr/4H-SiC УФ фотодетекторах при облучении протонами с энергией 15 MeV / И.П.Никитина, [и др.] // Журнал технической физики. – 2023. – Т.93, №4. – С.562-567. – URL: https://journals.ioffe.ru/articles/viewPDF/55045. – Библиогр.:11.
Спец.(статьи,препринты) = С 349.1 - Действие излучения на материалы$
Никитина, И.П.
Эффект геттерирования в Cr/4H-SiC УФ фотодетекторах при облучении протонами с энергией 15 MeV / И.П.Никитина, [и др.] // Журнал технической физики. – 2023. – Т.93, №4. – С.562-567. – URL: https://journals.ioffe.ru/articles/viewPDF/55045. – Библиогр.:11.
Спец.(статьи,препринты) = С 349.1 - Действие излучения на материалы$
Привязано к:
Доступно
1 из 1