Поиск :
Личный кабинет :
Электронный каталог: Мешков, И.Н. - Определение вакансий в монокристаллических алмазных пластинах с использованием метода позитронной...
Мешков, И.Н. - Определение вакансий в монокристаллических алмазных пластинах с использованием метода позитронной...
Статья
Автор: Мешков, И.Н.
Физика элементарных частиц и атомного ядра. Письма: Определение вакансий в монокристаллических алмазных пластинах с использованием метода позитронной...
б.г.
ISBN отсутствует
Автор: Мешков, И.Н.
Физика элементарных частиц и атомного ядра. Письма: Определение вакансий в монокристаллических алмазных пластинах с использованием метода позитронной...
б.г.
ISBN отсутствует
Статья
Мешков, И.Н.
Определение вакансий в монокристаллических алмазных пластинах с использованием метода позитронной аннигиляционной спектроскопии / И.Н.Мешков, А.А.Сидорин, О.С.Орлов, [и др.] // Физика элементарных частиц и атомного ядра. Письма. – 2023. – Т.20, №4. – С.797-805. – URL: http://www1.jinr.ru/Pepan_letters/panl_2023_4/30_Meshkov_r.pdf. – Библиогр.:11.
В статье представлены результаты исследования дефектов синтетических монокристаллических алмазных пластин после облучения электронами. Приведены данные о распределении концентрации дефектов в ИК-диапазоне. Помимо ИК-спектроскопии, для изучения дефектов в алмазах была использована позитронная аннигиляционная спектроскопия (ПАС). Показано, что ПАС с использованием монохроматического пучка позитронов можно использовать как метод неразрушающего контроля распределения вакансий по глубине алмазной пластины.
ОИЯИ = ОИЯИ (JINR)2023
Спец.(статьи,препринты) = С 350 - Приложения методов ядерной физики в смежных областях
Бюллетени = 41/023
Спец.(статьи,препринты) = С 44 г - Физико-химические методы анализа элементов. Анализ с помощью ядерных методов
Мешков, И.Н.
Определение вакансий в монокристаллических алмазных пластинах с использованием метода позитронной аннигиляционной спектроскопии / И.Н.Мешков, А.А.Сидорин, О.С.Орлов, [и др.] // Физика элементарных частиц и атомного ядра. Письма. – 2023. – Т.20, №4. – С.797-805. – URL: http://www1.jinr.ru/Pepan_letters/panl_2023_4/30_Meshkov_r.pdf. – Библиогр.:11.
В статье представлены результаты исследования дефектов синтетических монокристаллических алмазных пластин после облучения электронами. Приведены данные о распределении концентрации дефектов в ИК-диапазоне. Помимо ИК-спектроскопии, для изучения дефектов в алмазах была использована позитронная аннигиляционная спектроскопия (ПАС). Показано, что ПАС с использованием монохроматического пучка позитронов можно использовать как метод неразрушающего контроля распределения вакансий по глубине алмазной пластины.
ОИЯИ = ОИЯИ (JINR)2023
Спец.(статьи,препринты) = С 350 - Приложения методов ядерной физики в смежных областях
Бюллетени = 41/023
Спец.(статьи,препринты) = С 44 г - Физико-химические методы анализа элементов. Анализ с помощью ядерных методов