Поиск :
Личный кабинет :
Электронный каталог: Zhang, R. - Bias Dependence of Total Ionizing Dose Response in UTBB FD-SOI Transistors
Zhang, R. - Bias Dependence of Total Ionizing Dose Response in UTBB FD-SOI Transistors
Статья
Автор: Zhang, R.
IEEE Transactions on Nuclear Science: Bias Dependence of Total Ionizing Dose Response in UTBB FD-SOI Transistors
б.г.
ISBN отсутствует
Автор: Zhang, R.
IEEE Transactions on Nuclear Science: Bias Dependence of Total Ionizing Dose Response in UTBB FD-SOI Transistors
б.г.
ISBN отсутствует
На полку
Статья
Zhang, R.
Bias Dependence of Total Ionizing Dose Response in UTBB FD-SOI Transistors / R.Zhang, [et al.] // IEEE Transactions on Nuclear Science. – 2022. – Vol.69, No.12. – P.2314-2323. – URL: https://doi.org/10.1109/TNS.2022.3219432. – Bibliogr.:32.
Спец.(статьи,препринты) = С 349.1 - Действие излучения на материалы$
Zhang, R.
Bias Dependence of Total Ionizing Dose Response in UTBB FD-SOI Transistors / R.Zhang, [et al.] // IEEE Transactions on Nuclear Science. – 2022. – Vol.69, No.12. – P.2314-2323. – URL: https://doi.org/10.1109/TNS.2022.3219432. – Bibliogr.:32.
Спец.(статьи,препринты) = С 349.1 - Действие излучения на материалы$
Привязано к:
Доступно
1 из 1