Поиск :
Личный кабинет :
Электронный каталог: Gian, E. - The Effects of Displacement Damage on Ionization Effect in SiO&sub(2) Layer of Bipolar Transistor
Gian, E. - The Effects of Displacement Damage on Ionization Effect in SiO&sub(2) Layer of Bipolar Transistor
Статья
Автор: Gian, E.
IEEE Transactions on Nuclear Science: The Effects of Displacement Damage on Ionization Effect in SiO&sub(2) Layer of Bipolar Transistor
б.г.
ISBN отсутствует
Автор: Gian, E.
IEEE Transactions on Nuclear Science: The Effects of Displacement Damage on Ionization Effect in SiO&sub(2) Layer of Bipolar Transistor
б.г.
ISBN отсутствует
На полку
Статья
Gian, E.
The Effects of Displacement Damage on Ionization Effect in SiO&sub(2) Layer of Bipolar Transistor / E.Gian, [et al.] // IEEE Transactions on Nuclear Science. – 2022. – Vol.69, No.11. – P.2229-2235. – URL: https://doi.org/10.1109/TNS.2022.3212883. – Bibliogr.:28.
Спец.(статьи,препринты) = С 349.1 - Действие излучения на материалы$
Gian, E.
The Effects of Displacement Damage on Ionization Effect in SiO&sub(2) Layer of Bipolar Transistor / E.Gian, [et al.] // IEEE Transactions on Nuclear Science. – 2022. – Vol.69, No.11. – P.2229-2235. – URL: https://doi.org/10.1109/TNS.2022.3212883. – Bibliogr.:28.
Спец.(статьи,препринты) = С 349.1 - Действие излучения на материалы$
Привязано к:
Доступно
1 из 1